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LST是檢測(cè)半導(dǎo)體材料的體微缺陷有力工具，通過CCD相機(jī)，對(duì)入射光在樣品邊沿的散射進(jìn)行掃描，獲得體微缺陷分布信息。

LEIModel1605，是非接觸遷移率測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)各種半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試。無需制樣，消除了樣品制備引起的遷移率變化。

LEI88 是針對(duì)科研類客戶開發(fā)的產(chǎn)品，具備非接觸快速測(cè)試方塊電阻和電導(dǎo)率功能。

非接觸Hal和方塊電陽測(cè)試系統(tǒng)，可對(duì)GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試。

SRP 測(cè)試系統(tǒng)，采用擴(kuò)展電阻率技術(shù)(SRP)，對(duì)載流子濃度和電阻率隨深度的變化做快速測(cè)試。

準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)-光致發(fā)光可以將QSS準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)少子壽命測(cè)試和PL光致發(fā)光技術(shù)相結(jié)合，快速獲得樣品的少子壽命分布圖譜信息。

光致發(fā)光主要對(duì)材料能帶結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)濃度和缺陷，組分機(jī)理以及材料質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)。WT-2000PL專門針對(duì)PL應(yīng)用開發(fā)，具有非接觸，快速，可變溫，光斑等特點(diǎn)。

Semilab PV-2000A是業(yè)界功能最（zui）先進(jìn)的，用于晶硅太陽能電池片生產(chǎn)及光伏工藝研發(fā)的非接觸電學(xué)表征系統(tǒng),以滿足硅片到成品電池片不同工藝控制的測(cè)試需求。

LEI Model2017B，通過汞探針接觸方法，對(duì)各類半導(dǎo)體材料的載流子濃度分布進(jìn)行測(cè)試，特別適合GaN.SiC等化合物材料。

汞CV測(cè)試系統(tǒng)，用于對(duì)外延或前道工藝中的non-pattemed晶片做汞C-V測(cè)試;MCV-530L可測(cè)最大200mm的樣品。

CV-1500，用于測(cè)試界面和介電層的科研平臺(tái)，基于SDI Corona-Kelvin技術(shù)，可以進(jìn)行非接觸C-V/I-V測(cè)試。

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀(DLTS)是檢測(cè)半導(dǎo)體材料和器件缺陷和雜質(zhì)的最好技術(shù)手段，它可以測(cè)定各種深能級(jí)相關(guān)參數(shù)，如深能級(jí)，俘獲界面，濃度分布等。